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高分子辅助沉积法制备钨掺杂的二氧化钒薄膜
作者:
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normal'>林媛
单位:
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
关键词:
二氧化钒
薄膜
掺杂
相变温度
热滞回线
分类号:TQ135.11;TB383.2
出版年,卷(期):页码:2020,48(7):1074-1080
DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.2020.07.20200017
摘要:
利用高分子辅助沉积法(PAD)制备出钨掺杂二氧化钒(VO2)薄膜。采用X射线衍射、光电子能谱、扫描电子显微镜、Raman光谱等表征技术对不同含量钨掺杂的VO2薄膜性能进行了研究。结果表明:利用PAD方法制备的VO2薄膜质量较好,且钨离子掺杂成功。同时Raman光谱显示,钨掺杂1.0%(摩尔分数)的薄膜在相变过程中出现M2相。电学测试结果显示,钨掺杂的VO2薄膜相变温度大幅下降,每掺杂0.3%(摩尔分数)的钨离子,相变温度下降10℃,且随着钨掺量的增加,VO2薄膜的热滞回线宽度减小。
基金项目:
国家自然科学基金(51872038,61825102); “111”项目(B18011);
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