钴离子取代对Ca5Mg4–xCox(VO4)6陶瓷微波介电性能的影响

作者：刘 伟1 冷寒生1 李 波1 2 3

单位：(1. 电子科技大学电子科学与工程学院 2. 电子薄膜与集成器件国家重点实验室

关键词：微波介质陶瓷 钒酸镁钙 离子取代 介电性能

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出版年,卷(期):页码：2021,49(3):441-447

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摘要：

采用固相反应法制备低温烧结Ca5Mg4(VO4)6微波介质陶瓷，研究了Co掺杂取代Mg对微波介电性能的影响。结果表明：Co取代后样品形成了固溶体，导致烧结温度降低。当相对密度较低时，致密度主导着εr的变化；当相对密度较高时，εr主要受单位体积离子极化率的影响。此外，Co取代使得晶粒尺寸减小，进而促进了Q×f值的提升。由于τf与键能有着密切的联系，而V—O键的键能最大，τf随着V—O键键能的变化而改变。Ca5Mg3Co(VO4)6具有最佳的微波介电性能：εr=9.65，Q×f=54 685 GHz，τf=–55.3×10–6 ℃–1。

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