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热处理V膜制备VO2薄膜的结构和光电性能
作者:袁文辉1 刘保顺2 
单位:(1. 武汉高芯科技有限公司 武汉 430205 2. 硅酸盐建筑材料国家重点实验室 武汉理工大学 武汉 430070 
关键词:二氧化钒薄膜 磁控溅射 真空退火 半导体–金属相变 
分类号:O484.4
出版年,卷(期):页码:2021,49(6):1151-1156
DOI:
摘要:

 先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO2薄膜。研究了退火温度对VO2薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300 增加到450 VO2薄膜的结晶度明显增加。退火温度在400 450 制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰。不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致。虽然退火温度的改变对VO2薄膜的可见光透过率无明显影响,但是可以改善对太阳光的调节效率。VO2薄膜半导体-金属相变温度和半导体相的电阻随热处理温度增加而增加,在400 450 退火样品电阻相变前后的变化幅度可达2个数量级,450 退火制备样品的滞后宽度和半导体金属相变临界温度分别为14.6 61.0 

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