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射频磁控溅射制备高In组分Al1-xInxN薄膜及其光学性能
作者:陈建金 齐东丽 刘俊 李想 宋健宇 沈龙海 
单位:沈阳理工大学理学院 
关键词:铝铟氮薄膜 择优取向 光致发光 Burstein-Moss效应  
分类号:
出版年,卷(期):页码:2021,49(9):1970-1975
DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20200837
摘要:
采用射频磁控溅射法,在硅和石英衬底上生长了高In组分Al1-xInxN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-红外分光光度计分别对Al1-xInxN薄膜的结构、形貌和光学带隙进行表征,并在室温下测量Al1-xInxN薄膜的光致发光(PL)谱。结果表明:Al1-xInxN薄膜均呈(002)择优取向,具有单相纤锌矿结构,In组分为x=0.64-0.76。随着In组分升高,薄膜表面更加光滑,光学带隙值由1.93 eV红移至1.87 eV。In组分x=0.64,薄膜以本征发光为主,随着In组分增加,出现了附加的发光峰,这可归因于Moss-Burstein效应。
基金项目:
辽宁省教育厅自然科学基金(LG201910);
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