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高温氧化对Si3N4结合SiC陶瓷相结构和抗折强度的影响
作者:周炜 马俊 高小琦 刘欢 单帜航 冯万春 张波萍 
单位:1.北京科技大学材料科学与工程学院2.葫芦岛市华能工业陶瓷有限公司3.北京奥利通联科技有限公司   
关键词:氮化硅  碳化硅  高温氧化  抗折强度  
分类号:
出版年,卷(期):页码:2022,50(8):2104-2109
DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20220112
摘要:
以SiC、硅粉、SiO2等为原料,通过反应烧结制备Si3N4–SiC陶瓷样品,并进行高温氧化,研究了高温氧化前后的结构与力学性能。结果表明:高温氧化前后样品中均存在SiC、α-Si3N4/β-Si3N4主晶相和少量单质Si、Si2N2O、方石英三斜SiO2,高温氧化后单质Si相消失,方石英四方SiO2出现。高温氧化前后β-Si3N4质量分数维持不变,而α-Si3N4质量分数由11.3%下降至6.8%,并伴随Si2N2O和SiO2质量分数的提升,表明α-Si3N4较β-Si3N4更容易氧化分解为Si2N2O和SiO2。高温氧化导致平均抗折强度由(68.55±6.36) MPa下降至(49.80±4.96) MPa,主要与氧化导致α-Si3N4质量分数下降有关。
基金项目:
国家自然科学基金项目(52072028);
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