SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏陶瓷电学性能的影响

作者：朱桥 曹文斌

单位：陕西科技大学文理学院陕西科技大学半导体材料与器件研究中心

关键词：氧化锌压敏陶瓷  二氧化硅掺杂  微观结构  压敏性能  阻抗性能

分类号：

出版年,卷(期):页码：2022,50(12):3206-3211

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20220502

摘要：

采用固相烧结法制备 ZnO–Pr6O11–Co2O3–Cr2O3–Er2O3–SiO2压敏陶瓷，研究了 SiO2掺杂对 ZnO 压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明：Si O2具有抑制晶粒生长的作用，随着 SiO2掺杂量增加，晶粒尺寸逐渐减小；SiO2掺杂量为 1.0%(摩尔分数)时，ZnO压敏陶瓷的性能最好，生成的第二相物质最多，击穿场强、平均晶界电压、非线性系数、晶界电阻率和晶界势垒高度均为最大，其值分别为 435.5 V/mm,1.63 V,17.5,17 400 M?×cm 和 0.37 e V，漏电流最小为 1 μA；与未掺杂 SiO2的 ZnO压敏陶瓷相比，击穿场强和非线性系数分别提高了 3.6 倍和 6.6 倍。

基金项目：

国家自然科学基金(51802183)；

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